kp500可控硅怎么测量好坏?
1、用万用表R×1 kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻,正常时均应为无穷大(∞);若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小,则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
2、测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值,正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些),即正向电阻值较小(小于2 kΩ),反向电阻值较大(大于80 kΩ)。若两次测量的电阻值均很大或均很小,则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近,则说明该晶闸管已失效,其G、K极问PN结已失去单向导电作用。
3、测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻,正常时两个阻值均应为几百千欧姆(kΩ)或无穷大,若出现正、反向电阻值不一样(有类似二极管的单向导电)。则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路。
500a可控硅电阻,正向时几乎为0,反向时为无穷大则是好的,正反向都是无穷大则是坏了的。
bt138-800可控硅怎样测量?
1.单向可控硅用万用表的R*1Ω挡。
2.用红黑笔测任意两引脚间的正反向电阻。
3.找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。
4.检测双向可控硅同单向可控硅,找出数十欧姆的两个引脚,其为A1或者G极,空引脚为A2极。
5.认真测量量引脚间的正反向电阻,读书较小的一次,黑笔接A1极,红笔接G极
万用表选用电阻r×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极g,红笔接的引脚为阴极k,另一空脚为阳极a。
此时将黑表笔接已判断了的阳极a,红表笔仍接阴极k。
此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极a和控制极g,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极a接黑表笔,阴极k接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
可控硅怎么测量?
1,判断控制极(G)与阴极(K或A2)性能
根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
控制极(G)与阴极(K或A2)实际是二极管特性,因此有单向导通性能。
将万用表-黑表笔(实际是内部电池的“+” 极)搭接在控制极上。+红表笔搭接在阴极上,万用表指针向右偏移(“0”的方向)较小位置。一般在几欧~十几欧。
调换黑、红表笔,再次测量控制极与阴极,万用表指针因在左边的“∝”不动(微动)或向右偏移较少(一般在几千欧~几十千欧)
如检测结果与上不符,说明控制极(G)与阴极(K或A2)间已损坏。
2,判断阳极(A或A1)与阴极(K或A2)性能
同样根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×1K;大功率选择×10K。再次较表。短接两表笔,较对万用表指针在“0”的位置。
由于晶闸管在制造时,两PN结在结构上是串接。当晶闸管在截止状态下时,阳极与阴极之间就像常开开关一样处于断开状态。因此在黑表笔搭接阳极、红表笔搭接阴极,还是黑表笔搭接阴极、红表笔搭接阳极,万用表的指针应始终处于“∝”位置。
如检测结果与上不符,即万用表的指针向右偏移,说明晶闸管的一个或两个PN极性能变差或已击穿。
3,检测在控制极上加上触发电压后,阳极与阴极是否导通
黑表笔搭接阳极、红表笔搭接阴极。再用手指同时触接阳极与控制极(相当于给控制极加上一个触发电压),万用表的指针就会向右偏移。松开手指后,万用表的指针依旧停留在向右偏移的位置不动(晶闸管的特性就是导通后无需触发电压依旧保持导通,只有在阳极与阴极间正向电压消失或在阳极与阴极间加上反向电压,才能使它截止)。
如检测结果与上不符,说明晶闸管已损坏。
什么叫GTO可关断可控硅及其测量
可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管。GTO可关断可控硅其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。可关断晶闸管GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO可关断可控硅已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此仅绘出可关断晶闸管GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO可关断可控硅大都制成模块形式。
尽管可关断晶闸管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO可关断可控硅在导通后只能达到临界饱和,所以可关断晶闸管GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO可关断可控硅的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比,有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛 的hFE参数颇有相似之处。
下面分别介绍利用万用表判定GTO可关断可控硅电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。
1.判定可关断晶闸管GTO的电极
将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,仅当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的A极。
2.检查触发能力
首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO可关断可控硅已经导通;最后脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。
3.检查关断能力
现采用双表法检查可关断晶闸管GTO的关断能力,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO可关断可控硅具有关断能力。
4.估测关断增益βoff
进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益:
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数;
K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。
βoff≈10×n1/ n2
此式的优点是,不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。
注意事项:
(1)在检查大功率可关断晶闸管GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。
(2)要准确测量GTO可关断可控硅的关断增益βoff,必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。
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