LED相关技术参数符号说明
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF ---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流 光行天下.
ID---暗电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流 光行天下.
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR （In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR （In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦
半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
Tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
LED焊接条件
(1)、烙铁焊接：烙铁(最高30W)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体4毫米。
(2)、浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超过5秒；浸焊位置至少离胶体4毫米。
LED引脚成形方法
(1)、必需离胶体4毫米才能折弯支架。
(2)、支架成形必须用夹具或由专业人员来完成。
(3)、支架成形必须在焊接前完成。
(4)、支架成形需保证引脚和间距与线路板上一致。
(1)、烙铁焊接：烙铁(最高30W)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体4毫米。
(2)、浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超过5秒；浸焊位置至少离胶体4毫米。
LED引脚成形方法
(1)、必需离胶体4毫米才能折弯支架。
(2)、支架成形必须用夹具或由专业人员来完成。
(3)、支架成形必须在焊接前完成。
(4)、支架成形需保证引脚和间距与线路板上一致。
LED安装方法
(1)、注意各类器件外线的排列，以防极性装错。器件不可与发热元件靠得太近，工作条件不要超过其规定的极限。
(2)、务必不要在引脚变形的情况下安装LED。
(3)、当决定在孔中安装时，计算好面孔及线路板上孔距的尺寸和公差以免支架受过度的压力。
(4)、安装LED时，建议用导套定位。
(5)、在焊接温度回到正常以前，必须避免使LED受到任何的震动或外力。
LED清洗
当用化学品清洗时必须特别小心，因为有些化学品对胶体表面有损伤并引起褪色和三氯乙烯、丙酮等。可用乙醇擦拭、浸渍，时间在常
温下不超过3分钟。
LED工作及储存温度
(1)、LED LAMPS发光二极管 Topr-25℃～85℃、Tstg-40℃～100℃
(2)、LED DISPLAYS显示器 Topr-20℃～70℃、Tstg-20℃～85℃
(3)、OUR-DOOR LED LAMPS 像素管 Topr-20℃～60℃、Tstg-20℃～70℃
LED工作及储存温度
(1)、LED LAMPS发光二极管 Topr-25℃～85℃、Tstg-40℃～100℃
(2)、LED DISPLAYS显示器 Topr-20℃～70℃、Tstg-20℃～85℃
(3)、OUR-DOOR LED LAMPS 像素管 Topr-20℃～60℃、Tstg-20℃～70℃
针对LED的光衰主要有以下二大因素：
一、LED产品本身品质问题：
1、采用的芯片不好，亮度衰减较快。
2、生产工艺存在缺陷，芯片散热不能良好的从PIN脚导出，导致芯片温度过高使芯片衰减加剧。
一、LED产品本身品质问题：
1、采用的芯片不好，亮度衰减较快。
2、生产工艺存在缺陷，芯片散热不能良好的从PIN脚导出，导致芯片温度过高使芯片衰减加剧。
二、使用条件问题：
1、LED为恒流驱动，有部分LED采用电压驱动原因使LED衰减过来。
2、驱动电流大于额定驱动条件。
其实导致led光衰的原因很多，最关键的还是＂热＂的问题，下面给出我的一些看法。
芯片本身的热阻
银胶的影响
基板的散热效果
包括胶体和金线等方面都是有点影响的
LED护栏管: LED Hurdle Lamp
LED点光源: LED Point Source
LED大功率洗墙灯: LED High Power wash wall
LED大功率投光灯: LED High Power
LED光纤 LED optical fiber
LED柔性灯带 LED Soft Rope Light
LED柔性霓虹灯 LED Soft No
LED灯饰 LED lighting accessorize
LED显示屏 LED panel
LED喷绘屏LED Picture Module
LED背景屏 LED Backdrop screen
LED点光源: LED Point Source
LED大功率洗墙灯: LED High Power wash wall
LED大功率投光灯: LED High Power
LED光纤 LED optical fiber
LED柔性灯带 LED Soft Rope Light
LED柔性霓虹灯 LED Soft No
LED灯饰 LED lighting accessorize
LED显示屏 LED panel
LED喷绘屏LED Picture Module
LED背景屏 LED Backdrop screen
灯带就是吊顶时，四周发光的。正常人家考虑省电，都不要灯带，要是有条件，点亮灯带确实很漂亮啊！而led灯带能解除大家这方面的顾虑，因为LED灯带是用LED发光，这样就使LED灯带的使用寿命加长了可以达到5-10万不间断使用，而且比普通的灯带要节能75%的电能，LED灯带表面温度很低这样也增长了LED灯带的使用寿命。
LED筒灯是装饰用的，发出微弱的光，不过会越点越亮，很温馨。
LED射灯的用途就象手电筒，一般是室外用的。室内用的也有，因为品种不同，所以用途也不同。
LED射灯采用散热性能好的金属材料制成；
选用各色超高亮度LED灯，经测试、老化组合而成；
可连续使用3.5万个小时；
功率：1.8W，3.5W，4W（可以自己选择）；
使用电压为DC/AC12V、24V，110/220V；
led灯是新东西,但是只要安装过程中做的细致,小心一样可以做出成功的产品.下面给出LED灯方面的一些小的常识
LED安装方法
（1）注意各类器件外线的排列，以防极性装错。器件不可与发热元件靠得太近，工作条件不要超过其规定的极限。
（2）务必不要在引脚变形的情况下安装LED。
（3）当决定在孔中安装时，计算好面孔及线路板上孔距的尺寸和公差以免支架受过度的压力。
（4）安装LED时，建意用导套定位。
（5）在焊接温度回到正常以前，必须避免使LED受到任何的震动或外力。
LED的清洗要注意什么?
当用化学品清洗胶体时必须特别小心，因为有些化学品对胶体表面有损伤并引起褪色如三氯乙烯、丙酮等。可用乙醇擦拭、浸渍，时间在常温下不超过3分钟。
（1）注意各类器件外线的排列，以防极性装错。器件不可与发热元件靠得太近，工作条件不要超过其规定的极限。
（2）务必不要在引脚变形的情况下安装LED。
（3）当决定在孔中安装时，计算好面孔及线路板上孔距的尺寸和公差以免支架受过度的压力。
（4）安装LED时，建意用导套定位。
（5）在焊接温度回到正常以前，必须避免使LED受到任何的震动或外力。
LED的清洗要注意什么?
当用化学品清洗胶体时必须特别小心，因为有些化学品对胶体表面有损伤并引起褪色如三氯乙烯、丙酮等。可用乙醇擦拭、浸渍，时间在常温下不超过3分钟。
LED适当的工作及储存温度：
（1）LED LAMPS发光二极管 Topr-25℃~85℃ 、 Tstg-40℃~100℃
（2）LED DISPLAYS显示器 Topr-20℃~70℃ 、 Tstg-20℃~85℃
（3）OUT-DOOR LED LAMPS 像素管 Topr-20℃~60℃ 、 Tstg-20℃~70℃
LED产品应用常识和LED性能检测如下:
（1）烙铁焊接：烙铁（最高30W）尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。
（2）浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超过5秒；浸焊位置至少离胶体2毫米。
引脚成形方法:
（1）LED LAMPS发光二极管 Topr-25℃~85℃ 、 Tstg-40℃~100℃
（2）LED DISPLAYS显示器 Topr-20℃~70℃ 、 Tstg-20℃~85℃
（3）OUT-DOOR LED LAMPS 像素管 Topr-20℃~60℃ 、 Tstg-20℃~70℃
LED产品应用常识和LED性能检测如下:
（1）烙铁焊接：烙铁（最高30W）尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。
（2）浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超过5秒；浸焊位置至少离胶体2毫米。
引脚成形方法:
（1）必需离胶体2毫米才能折弯支架。
（2）支架成形必须用夹具或由专业人员来完成。
（3）支架成形必须在焊接前完成。
（4）支架成形需保证引脚和间距与线路板上一致。
（2）支架成形必须用夹具或由专业人员来完成。
（3）支架成形必须在焊接前完成。
（4）支架成形需保证引脚和间距与线路板上一致。
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