h20r1203功率管参数_电磁炉功率管H20R1203⽤什么代换展开全部
H20R1203可以使⽤电磁炉IGBT管FGA25N120进⾏替换。
IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、62616964757a686964616fe4b893e5b19e31333431353338频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不⼤。
所以FGA25N120是正品的话，⼀般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。⼀般IGBT有三个电极, 分别称为栅极G、集电极C及发射极E。
扩展资料：
在截⽌状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果⽆N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样⽔平，加⼊N+缓冲区后，反向关断电压只能达到⼏⼗伏⽔平，因此限制了IGBT 的某些应⽤范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压⼩于开启电压
Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。
在IGBT 导通后的⼤部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最⾼栅源电压受最⼤漏极电流限制，其最佳值⼀般取为15V左右。
动态特性⼜称开关特性，IGBT的开关特性分为两⼤部分：⼀是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另⼀个是开关过程中的损耗。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。

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