cmsemicon 三键多士炉专用芯片 CMS12530 功能说明书

2023年4月20日发(作者：4平方铜线能带8000w吗)

CMS12530

三键多士炉专用芯片CMS12530功能说明书

CMS12530是一块用于多士炉系列产品的专用集成电路。CMS12530

可以通过调节外部振荡电阻来控制多士炉的加热时间。除正常模式

外，CMS12530可以通过DEFROST键和REHEAT键实现解冻和再加热功

能。

一、 管脚说明：(DIP8)

脚位 功 能

PIN1 DEFROST（解冻）输入及LED指示

PIN2 REHEAT（再热）输入及LED指示

PIN3 电源自锁线圈控制输出

PIN4 VDD

PIN5 振荡控制1

PIN6 振荡输入

PIN7 振荡控制2

PIN8 VSS

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二、主要参数指标：

参 数 测试条件 符 号最小值 典型值 最大值 单 位

工作电压 VDD 4 5 5.5 V

高电平输出电压 VDD=5V(无负载) Voh 4.5 V

低电平输出电压 VDD=5V(无负载) Vol 0.5 V

输出口高电平输出电流 VDD=5V(Voh=3.5V) Ioh 5 mA

输出口低电平输出电流 VDD=5V(Vol=1.5V) Iol 5 mA

不同温度下定

时稳定性（定时

时间为30S）

不同温度下定

时稳定性(定时

时间为60S)

不同温度下定

时稳定性(定时

时间为200S)

工作温度 Top 0 85 ℃

贮存温度 Tst -20 105 ℃

0℃ VDD=5V t 30 S

25℃ VDD=5V t 30 S

50℃ VDD=5V t 30 S

85℃ VDD=5V t 30 S

0℃ VDD=5V t 60 S

25℃ VDD=5V t 60 S

50℃ VDD=5V t 60 S

85℃ VDD=5V t 61 S

0℃ VDD=5V t 200 S

25℃ VDD=5V t 200 S

50℃ VDD=5V t 201 S

85℃ VDD=5V t 202 S

三、功能说明：

1、控制面板示意图：

LED1 LED2 LED3

CANCEL DEFROSTREHEAT TIMER

2、功能描述：

芯片通电开始工作，输出口输出高电平控制电磁铁自锁，多士炉持续工作。

当定时时间到后，输出口输出低电平，电磁铁释放，电源回路断开，多士炉停止

工作。在定时时间内按下CANCEL键，也可使电磁铁释放，多士炉停止工作。

⑴、 控制板通电后LED1（电源指示）亮，如果此时不按任何键则多士炉

根据TIMER电位器的设定工作设定时间，控制三极管输出端输出高电

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平，具体时间根据电位器的位置定，定时时间到后，控制三极管输出

端输出低电平；

⑵、 如果上电后立即按动REHEAT（再热）按键，则LED3亮，此时进入

REHEAT工作状态，无论TIMER的设置如何，多士炉均工作设定时间后

停止工作。

⑶、 如果上电后立即按动DEFROST（解冻）按键，则LED2亮，此时进入

DEFROST工作状态，此时的工作时间按照TIMER的位置定，具体的时

间是在第一种的时间的基础上增加一定的百分比（百分比计算公式为

(C3+C4)/C3;电容C3,C4参看推荐电路图）

⑷、 工作过程中按动CANCEL键，则系统断电，终止工作。

四、工作时间：

1. 工作时间的计算:

因为从芯片上电到用户按下按键有一定的时间差,所以芯片从上电到断开电

磁铁的总时间可由以下公式推导:

按下REHEAT键时总的工作时间为：

Time=A*(1-t/B)+t

按下DEFROST键时总的工作时间为：

Time=B*[(C3+C4)/C3]*(1-t/B)+t

备注：Time是芯片从上电到断开电磁铁的时间；

t是从上电到按下按键的时间；

A是设定的REHEAT定时时间（即t为0的时间）；

B是设定的正常模式下定时时间（即t为0的时间）；

C3是芯片第6脚到地的电容容量；

C4是芯片第6脚和第7脚间的电容容量；

2.工作时间与振荡电阻的关系：(工作温度为25℃，C3=473P,C4=153P,VDD=5V)

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按下REHEAT键时，电阻R9与时间t的关系（R9是芯片第5脚和第6脚之间

；

的电阻）

不按任何键的情况下，芯片从上电到断开电磁铁的时间t与电阻R的关系

（R为芯片第5脚到VDD的电阻值及第5脚和第6脚间的电阻 值之和,即如参

考电路所示R=R10//R7+R8+R9）

3．不同电容与电阻条件下工作时间计算方法：(工作温度为25℃，VDD=5V)

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T≈0.7*R*C*32768

备注：R为振荡电阻的取值，单位为欧姆；C为如参考电路中C3的容值，单位

为法拉；T为工作时间，单位为秒；

实测典型值如下表：

REHEAT时定时定时60S 定时200S

30S

C3电容值 R9阻值 R阻值 R阻值

153 80K 171K 579K

223 58K 118K 403K

333 38K 77K 250K

473 26K 54K 186K

104 14K 30K 115K

备注：R9是芯片第5脚和第6脚之间的电阻，R为芯片第5脚到VDD的

电阻值及第5脚和第6脚间的电阻值之和,即如参考电路所示R=R10//R7+R8+R9

五、应用电路

：

注：本电路有关参数仅供参考

由于振荡电阻和电位器及电容存在误差，使用时请在参考电路基础上进行调整

备注： 如图所示电阻R7必须加上，以防止可调电阻断路时自锁线圈不能断开

●备注

：

1．当芯片工作完毕，输出变为低电平，使电磁铁断开，这个低电平的周期为芯

片设定的工作时间；

2．按下DEFROST键时工作时间增加的百分比计算公式为(c3+c4)/c3;建议c3取

值在223p——473p范围内；

3．如果要在冷炉和热炉的条件下烤面包产生同样的效果，可以采用热补偿电路，

如下图所示：

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R102为常温下阻值为10K的负温度系数热敏电阻；

4． ：

多士炉单面烤参考电路

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六、封装说明

：(DIP8)

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